EL藥品事業部門

在半導體製程中之矽晶圓洗淨，隨近年半導體線寬越趨微細化發展，對微粒子、金屬去除要求極高。三菱化學之電子工業用高純度製程藥品因應此些要求，具備了10ppt以下金屬雜質等級之高純度特性。
經營品項:EL鹽酸、EL硝酸、EL氨水

半導體製程中之矽晶圓會受到各種無機、有機物汙染，需要以下三種機能來達到高潔淨度:

• 去除微粒子
• 去除有機殘渣
• 去除金屬

• EL硫酸
• EL雙氧水
• EL氨水
• EL鹽酸

• 長達30年之製造、銷售實績
• 通過與各大半導體製造商業務往來，不斷提升品質
• 隨半導體線寬越趨微細化發展，提供高純度產品
• 運用綜合化學製造商才有的運用高度先進分析、品質管理技術，建立完備的品質管理系統

AM1為兼具高去除微粒子及去除金屬特性能之高機能洗淨劑，為EL藥品的種類之一。可適用於批次、單晶片清洗之高性能RCA替代洗淨劑。換言之，可以同時進行RCA洗淨等批次清洗的微粒子去除、金屬雜質去除兩步清洗，最終可簡化洗淨製程。

AM1是高性能RCA替代洗淨劑，可用於批次、單晶片清洗。

• 當作單晶片洗淨劑時，可在短時間內達到表面高度清潔度。
• 當作金屬柵用洗淨劑時，有助於防止鎢、矽的腐蝕。

MC1為電子工業用之高機能洗淨劑，為EL藥品的種類之一。為高性能之RCA替代洗淨劑。因同時具有去除微粒子及金屬的特性，可減少RCA洗淨工程次數，並有助於降低客戶的對總成本降低進行貢獻。

• 降低金屬汙染
• 防止交叉污染

酸性型 Cu CMP後洗淨劑 / 鹼性型 Cu CMP後洗淨劑
半導體製程的Cu/Low-K膜之CMP後洗淨製程中，需要去除殘留在銅導線和Low-k薄膜上的研磨液中的有機殘渣及微粒子，而不對基板造成腐蝕或損害。三菱化學集團的CMP後洗淨劑為滿足此需求之高效洗淨的電子工業用高機能洗淨劑。

• 高微粒子去除性能
• 降低對Low-K的傷害
• 有效去除有機殘渣
• 提升Low-K表面濕潤性
• 降低對Cu導線的電偶腐蝕

三菱化學集團之CMP後洗淨劑滿足以上機能，作為高機能洗淨劑使用，可實現高洗淨效果的電子工業用高純度藥品。

Si Etch系列為旋轉蝕刻設備用的矽晶圓蝕刻液，去除晶圓背面的加工變質層。

專用於濕式蝕刻：旋轉蝕刻設備、單晶圓濕式處理設備、半導體製程用自動工酸設備之高純度藥品。

Si蝕刻系列一覽
1.鏡面化處理液

• Si Etch E Etch rate: 25μm/min
• Si Etch F Etch rate: 20μm/min
• Si Etch J Etch rate: 8μm/min

2.鏡面完成液

• MH-3 Etch.rate:10μm/min

3.粗面化處理液

• Si EtchC Etch rate: 3μm/min
• Si EtchD Etch rate: 2μm/min